La nouvelle mémoire magnétique (MRAM) est aussi rapide que la DRAM tout en conservant les informations après l'arrêt

 
Des chercheurs de l'ETH Zurich ont mis au point une nouvelle mémoire magnétique à accès aléatoire (MRAM) capable de commuter en moins d'une nanoseconde avec une propagation du temps de commutation cumulé inférieure à 0,2 nanosecondes. La méthode des chercheurs permet donc de stocker des données dans des jonctions tunnel magnétiques pratiquement sans erreur et en moins d'une nanoseconde, tout en conservant les données stockées même après l'arrêt de l'ordinateur. Les recherches ont également collaboré avec le centre de recherche IMEC, qui a permis de tester la nouvelle technologie directement sur une tranche compatible avec l'industrie. En principe, la technologie serait donc immédiatement prête à l'emploi dans une nouvelle génération de MRAM.
 
 
 
 
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Dernière mise à jour
29.06.2020 - 13:22

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